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2004年6月
“6英寸重掺砷js金沙登录大厅”获北京市重大高新技术成果转化项目认定
2005年2月
“6英寸重掺砷js金沙登录大厅及抛光片”获北京市科学技术奖一等奖
2005年11月
“重掺砷js金沙登录大厅及抛光片”获国家科学技术进步奖二等奖
2007年3月
“直径12英寸js金沙登录大厅抛光片”被评为2005—2006年度中国半导体创新产品
2008年2月
“6英寸重掺砷js金沙登录大厅及抛光片”被评为2007年中国半导体创新产品
2008年1月
“一种用于直拉js金沙登录大厅制备中的掺杂方法及其装置”获中国专利金奖
2009年5月
“极大规模集成电路工艺设备用300毫米以上大直径js金沙登录大厅”获首批国家自主创新产品
2013年12月
“纳米集成电路设备用高端js金沙登录大厅材料的研发”获中国有色金属工业科学技术奖一等奖
2016年1月
“200mm重掺js金沙登录大厅抛光片技术”荣中国有色金属工业科学技术奖一等奖
2016年12月
“硅材料原生缺陷图谱”获中国有色金属工业科学技术奖三等奖
2017年3月
获中国半导体行业协会“2016年中国半导体材料十强企业”称号
2017年12月
“太阳能电池用js金沙登录大厅”获全国半导体设备和标准化技术委员会材料分技术委员会技术标准优秀奖一等奖
2018年4月
获中国半导体行业协会“2017年中国半导体材料十强企业”称号
2018年4月
“200mm 低微缺陷(low COP)硅片”获得“第十二届(2017年度)中国半导体创新产品和技术”奖
2018年11月
“硅抛光片表面颗粒测试方法” 获全国半导体设备和标准化技术委员会材料分技术委员会技术标准优秀奖一等奖
2019年5月
获中国半导体行业协会“2018年中国半导体材料十强企业”称号
2019年6月
获中国电子材料行业协会“第三届(2019年)中国电子材料行业协会五十强企业”称号
2019年9月
“300mm硅环”获“北京市新技术新产品(服务)证书”
2019年12月
“大尺寸硅片超精密磨削技术与装备”获国家技术发明奖二等奖
2020年2月
“IGBT用8英寸硅衬底抛光片”获北京市新技术新产品(服务)证书
2020年8月
获中国半导体行业协会“2019年中国半导体材料十强企业”称号
2020年8月
“IGBT用8英寸轻掺硅衬底抛光片”被评为”第十四届(2019年度)中国半导体创新产品和技术“
2020年11月
“js金沙登录大厅电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法”获全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会技术标准优秀奖一等奖
2020年12月
“IGBT用8英寸硅衬底抛光片”获中国有色金属工业科学技术奖二等奖
2020年12月
“8英寸高压FRD用硅衬底抛光片”获北京市新技术新产品(服务)证书
2021年6月
获中国半导体行业协会“2020年中国半导体材料十强企业”称号
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